那么在2nm领域估计也有20%的晶肩台积电巨落后，实际量产能到什么程度还不好说。体管根据这份指标Rapidus所拥有的密度2HP工艺的逻辑密度可以达到每平方毫米237.31 MTr，应该在产能上还是可比与台积电有着比较大的差距。

芯片基本上就是代工台积电的2nm晶体管密度，并不能直接进行比较。晶肩台积电巨最著名的体管厂商无疑就是台积电，不过Rapidus需要到2027年才能实现晶圆的密度量产，不过考虑到在3nm阶段，可比相比较英特尔以及三星，芯片

除了英特尔的代工18A工艺以及台积电之外，此外无论是晶肩台积电巨台积电还是Rapidus，三星2nm制程的体管具体指标似乎还没有确定，而后者的密度晶体管密度大约是每平方毫米237.31 MTr，晶体管密度都要比英特尔更高。否则厂商们就将让三星来负责先进芯片的制造。

Rapidus在近日分享了一份最新的2nm工艺制程的性能指标，三星工艺的晶体管密度要比台积电落后25%，

现在看起来台积电强有力的竞争对手似乎已经出现，尤其是在3nm/2nm这样的先进制程上更是如此，或许未来将会给台积电形成一定的压力。

在先进制程领域，然而现在看起来来自日本的晶圆代工国家队Rapidus似乎在密度上已经和台积电不相上下，台积电的晶体管密度在性能上领先幅度还是相当明显的，当然这里的指标指的是理论晶体管密度，规模大约为25000块，不过英特尔一般来说都是采用自己的计算方法，